NASA 和韓國kaist 合作開發有自癒能力晶片 當星際飛船微衛星

[peter]

http://www.cnbeta.com/articles/565611.htm
nasa 和韩国科技研究院 Institute of Science and Technology (KAIST)   合作开发

单芯片星际飞船将能以五分之一的光速飞行，能在20年内抵达距离太阳系最近的恒星。
但飞船一路上肯定会遭到高能宇宙辐射的轰炸，而二十年的时间也超过了地球上普通芯片的寿命，
芯片发生故障的可能性非常高。

减少辐射对芯片破坏的方法不外是最小化辐射暴露和增加防护罩。但增加防护罩肯定会导致飞船重量增加，导致航行速度下降，延长抵达的时间。

让芯片的晶体管具有自我修复的能力 ??


http://www.i4u.com/2016/12/118518/self-healing-transistors-developed-nasa-s-new-starships
Self-Healing Transistors Developed For NASA’s New Starships

具有自我修复

[peter]

http://www.cnbeta.com/articles/566619.htm

凭借当前的技术，传统航天器抵达距离我们最近的恒星（半人马座阿尔法星），需要超过18000年的时间。不过计算表明，能够以1/5光速飞行的、基于一颗硅芯片的纳米航天器，可以将这趟行程缩短至20年。

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问题在于，类似的“飞船芯片”无法经受住深空的强辐射和温度波动。不过KAIST和NASA的一支研究团队，正在开发一种可以帮助芯片自愈的方法。

    当前有三种方法可以帮助芯片在星际旅行中存活，最明显的就是给芯片添加一个“金属屏蔽罩”，但这种笨重的工艺对小型轻量级航天器来说，并不是很适合。

另一种办法是，天文学家可以为航天器选择一条辐射曝光最小的路径，但这本身就对星际旅行造成了一定的限制，不仅拖长了任务的时间、还可能遇到意想不到的危害。

    第三种方法，就是本文要介绍的这项研究，其全名为‘辐射感知电路设计’（radiation-aware circuit design）。

与通过标准的鳍式场效晶体管（FinFET）不同，该团队用到了KAIST此前开发的“环绕闸极纳米线晶体管”（GAA FET）。

在这些电路中，围绕纳米线的闸极，可以‘许可’（或防止）电子的流通。双‘接触垫’允许电流流经闸极和周围通道，将之在不到10纳秒的时间内加热至900℃（1652℉）。

值得一提的是，这种热量已被证明能够修复因辐射、压力、衰老带来的性能衰减。这套借助热量来‘自愈’的方法，已经在三种不同的硅芯片航天器的关键组件上进行了测试。

    这三大关键组件为：微处理器、DRAM内存、以及闪存驱动器。

在上述三大元件中，该系统都能延长其使用寿命（反复修复辐射造成的任意缺陷）。
据悉，闪存可以被修复上万次，DRAM则可达到1012次。

结合GAA FET对宇宙射线的耐受性、以及更小的电路等优势，研究人员们得出了如下结论 ——
 该技术为可远距离深空旅行的可持续纳米航天器开辟了可能。

该团队已在上周于旧金山召开的电机电子元件会议（IEDM）上展示了他们的研究成果

[peter]

http://www.spaceflightfans.cn/9219.html

免疫宇宙射线：使用自我复原的全包围栅极（GAA）晶体管打造的测试芯片，包含DRAM和逻辑电路。

在和韩国科学技术研究所（KAIST）的通力合作下，美国航空航天局（NASA）成功的在微型航天器上有了突破性的进展，每个航天器都包含独立的硅制芯片，极大程度的节省星际探索的时间。

去年12月在旧金山举行的IEEE国际电子设备会议上，来自NASA的博士后科研专家Dong-Il Moon详细披露了这项技术，皆在确保这些航天器在执行太空探索任务时候，哪怕遇到再强烈的辐射都能生存下来。

这种微型航天器由轻量的小型太阳帆提供动力，并通过千兆级激光系统进行加速。而根据NASA的计算表明，假如使用这种全新硅制芯片能够让航天器加速到光速的五分之一。如果人类想要造访离地球最近的恒星，传统航天器往往需要几万年的时间，而在如此快的速度下，只需要20年就能到达。

Moon和他的同事都认为，普通硅制芯片仍然无法在太空中存活20年这么长的时间，因为在太空旅程中会遭遇比地球更多的高能辐射。来自查尔斯·斯塔克德雷珀实验室（位于马萨诸塞州剑桥市），负责芯片级航天器项目的专家Brett Streetman说道：“地球磁场抵挡了大量的辐射，此外大气层也能很好的起到防止辐射的作用。”

辐射会积累正电荷并影响芯片的二氧化硅层，降低芯片性能。KAIST的团队负责人Yang-Kyu Choi表示，最严重的损害会增大电流，在原本应该关闭的时候可能会通过晶体管泄露。

解决芯片损坏的两个解决方案是，就是在太空旅行中要么将辐射最小化，要么增加屏蔽效果。不过前者导致更长的任务周期并限制太空探索的能力，而后者则会增加重量并消除了小型化工艺的优点。对此Moon认为更好的方案，允许设备出现损坏，但是通过设计能够使用热量自我复原。

NASA团队成员Jin-Woo Han说道：“芯片复原技术已经问世很多年了。”Han表示，现在最为关键的融合，就是迄今为止对辐射损害最全面的分析。

这份研究使用了KAIST实验性质的“栅极全包围”（gate-all-around，GAA）纳米晶体管。和目前主流使用的鳍形通道，这些设备使用纳米级别的线缆作为晶体管通道。GAA设备可能并不被普通用户所熟知，但是预计2020年-2029年期间量产并有望发射升空。

栅极（gate）会完全围绕着纳米线，利用通道的关闭/开启来让电荷流动产生电流。在栅极添加额外的触点从而允许电流通过。这个电流会加热栅极和通道的周围，修复因为辐射导致的影响。

KAIST认为，纳米线晶体管是非常理想的材质，因为它们通常对宇宙射线有非常高的免疫力，而且它们非常小，尺寸只有几十纳米。Choi说道：“专用于航天器的芯片传统尺寸大约为500纳米，如果能用20纳米的进行替代，那么芯片的尺寸和重量都会大幅缩小。”而且成本也会大幅下降。

KAIST的设计方案可运用于单芯片航天器的三大关键构件：微处理器、DRAM内存、以及能充当硬盘的闪存。

辐射损害能够被修复多次，实验结果表明闪存能够恢复10000次，而DRAM能够1012次恢复到原始状态。在逻辑设备中，可能会达到更高的恢复次数。这些研究结果表明它们能够承担更长时间的星际探索任务，芯片每隔几年就会出现功率下降的情况，而通过内部加热能够恢复其性能，从而继续回到原始状态执行任务。

加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的教授Philip Lubin认为，这种模拟退火方式极富“创造性”并非常聪明，而且能够深入了解宇宙射线会对这些芯片产生多大的损害。通过对现有技术的革新，他希望芯片级航天器能够有全新的评估，并指出已经在开发军用的耐辐射电子设备。

现在，在NASA和KAIST正努力消除第二个栅极触点加热问题。因为改变了芯片涉及和创造新型晶体管库的需求，这个触点并不合理，并增加了生产成本。KAIST的研究人员正在研究一种名为无结型纳米线晶体管的全新涉及，可以在晶体管正常工作的时候加热栅极。另外NASA还在研究可以嵌入到芯片上的微型加热器。

伴随着自修复技术成本的不断降低，这项技术在未来芯片级航天器中将会扮演核心重要角色，不过现在离正式商用还有很长的路要走。